Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Gesamtnote
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Gesamtnote
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Unterschiede

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 33
    Rund um -50% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 7.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    33 left arrow 22
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 12.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.3 left arrow 8.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1911 left arrow 1886
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche