RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
33
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3652
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link