RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
33
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3103
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link