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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
16.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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