RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
37
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2712
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBTDD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link