RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
34
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2987
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link