RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
33
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2648
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link