RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
33
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3371
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link