RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
45
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3233
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link