RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2672
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link