RAM-Vergleich Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Gesamtnote

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 33

Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12.5 8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.4 7.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1911 2361

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns