RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
63
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
3091
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link