RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
63
80
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
80
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
1775
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link