RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
63
Rund um -66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
3246
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link