RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
63
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
2323
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link