RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
63
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
2419
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link