RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
63
Rund um -186% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
3201
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link