RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
63
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
2989
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link