RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
63
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
2511
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link