RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
60
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2813
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link