RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
49
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2489
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link