RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
49
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2786
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link