RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
56
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2597
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5471-038.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link