RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
49
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2871
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link