RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
3537
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link