RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
49
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
3827
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link