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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
49
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
7.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
1331
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
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Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
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