RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
49
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
3040
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link