RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
56
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
1964
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link