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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
49
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
10.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2587
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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