RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
66
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
9.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
1934
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link