RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
6.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2130
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO 5641152 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link