RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2703
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link