RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2870
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ASU1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link