RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3154
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link