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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
16.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3639
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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