RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3443
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link