RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2836
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link