RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
47
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2640
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link