RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2974
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link