RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
27
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
15.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3632
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link