RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
27
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3216
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link