RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
16.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3899
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link