RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3164
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link