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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
no data
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3043
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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