RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
42
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3341
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link