RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3432
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link