RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
22.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
17.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3962
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link