RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2243
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link