RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3827
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link